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台北IDF:英飞凌确认明年底将推出DDR3

2005-4-14 9:32:00　文/老鼠 编译　出处：xbitlabs
　　来自台北IDF的报道：著名的内存厂商英飞凌在周二表示，他们将会在今后的一年半时间内实现DDR3内存的量产，这一计划似乎和三星公司不约而同，因为三星半导体刚刚于本周一在美国的JEDEX会议上发布他们的DDR3内存设计方案。 　　英飞凌的产品市场工程师Jessica Chen发表了上述的新闻，称这家著名的德国内存厂商将会在2006年的年底向客户提供DDR3记忆体的样品，理论上将在2007年的晚些时候开始正式大批量生产DDR3。 　　英飞凌在2003年的3月份开始出样DDR2记忆体，这比第一批支持DDR2记忆体的Intel915P/G和925X芯片组的发布早了足足16个月；而事实上三星和日本的elpdia在推出DDR2记忆体时准备的更早，这两家公司在2002年的中期就已经开始测试他们的DDR2记忆体产品了，看来英飞凌一贯的速度是不快不慢。 　　三星在今年的2月中旬表示，他们已经开发出业界首款512Mb规格的记忆体芯片，符合DDR3记忆体的标准，可以工作在1066MHz的频率下，工作电压为1.5v，80nm工艺制造；目前的DDR/DDR2产品最高规格也不过是90nm工艺的。 　　此外eetimes的报道称，英飞凌在2004年的内存市场占有率从03年的第三名下跌一位，销售总额为38.460亿美元，市场占有率为14％。
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