内存eTT颗粒达1美元新低后微弱反弹
援引集邦DramX消息，本月16日，DDR2 eTT 颗粒现货价格跌至约 1 美元新低后，微幅反弹，而闪存合约市场则呈现一成左右跌幅，但短期内有望持稳。
DRAM 现货市场持续走弱，合约市场交易冷清，上周（10/8-10/15 ） 现货市场 DDR2 价格方面持续走弱；而 DDR 则因供给不足价格缓步盘坚。 DDR2 512Mb eTT 跌至 1 美元左右的新低价之后，暂时止跌并微幅反弹，在 1.02 至 1.05 美元震荡，以 1.03 美元做收，跌幅为 5.5% ； DDR2 512Mb 667MHz 则滑落至 1.35 美元，下跌 2.9% 。在 DDR1 市场方面，由于现货市场供给数量仍旧不足，上周亦曾出现缺货状况，价格持续小幅上扬， DDR 512Mb 400MHz 以 2.66 美元做收，上涨 5.6% 。
十月份合约市场相当清淡， OEM 拿货意愿低落，部分厂商甚至认为，倘若预期十一月 DRAM 价格没有反弹行情，下旬就没有太大的拿货意愿。十月截至目前为止，部分 OEM 甚至完全没有任何采购 DRAM 的动作，整体市况较九月上、下旬都还要冷清。
需求不振、供给过剩，是近期市场依然疲弱的主要原因，据集邦科技（ DRAMeXchange ）最新观察报告指出， 纵使中国市场结束十一长假，市场参与者皆已回笼，然而现货市场成交量并无显著的放大。整体而言，十月需求在今年并未出现，加上目前大模块厂应备的库存水位已足够，小模块厂则是抱着「货好卖才买」的心态，使得现货市场缓冲区机制消失，价格变得更为敏感。纵使量缩价格敏感，近期 DDR2 512Mb eTT 价格在跌至 1 美元附近后的反弹力道并不强，可见市场卖压仍沉重。当今不论在现货市场或合约市场， DDR2 交投都相当冷清，买方意愿薄弱，近期就算有任何的利多，也未对市场产生太大的加温迹象。
十月上旬 NAND Flash 合约价下跌 0-10% 但短期内可望相对持稳。十月上旬 NAND Flash 合约价平均跌幅在 0-10% 左右，其中 MLC 颗粒跌幅较大，主要是反应供货商新制程所开出的 MLC 产出量将在今年第四季有明显增加；至于低容量的 SLC 颗粒，则因为供给量逐渐减少的关系，价格呈现止稳小涨的情况。自九月以来 NAND Flash 价格已经大幅向下修正过，然而下游客户以降价来刺激买气，反应 NAND Flash 成本下降的动作，通常会比较延滞一段时间。市场预期来自降价效应的买气将在十月下旬至十一月才会逐渐浮现，因此集邦科技（ DRAMeXchange ）预期在短期内 NAND Flash 合约价格有机会相对持稳 。
-
看本文的网友还看了：
-
热点关注：
2006 经营许可证编号： 粤B2-20050807