Atom死对头解读威盛Nano凌珑处理器

2008-6-4 8:16:00　文/Clescman　出处：IT.com.cn(IT世界网)

威盛Isaiah关键特性

　　Nano凌珑处理器采用65nm制程，NanoBGA2封装，处理器面积和C7相当，为21mm x 21mm，而Die面尺寸为7.650mm x 8.275mm。看到65nm制程可能会有人不仅将其和英特尔的45nm制程对比，实际上这样的比较没有太大的意义，如果现在英特尔宣布采用32nm制程，大家会不会觉得45nm制程的产品落后呢，显然是不应该的，因为不同的产品面向的是不同的应用，对于低价超便携电脑来说，即便是90nm的Celeron-M 353也一样能起到很好的效果，65nm的Nano凌珑处理器显然会做得更出色。

　　下表是Nano凌珑和C7规格上的一些对比，我们可以看到，Nano凌珑的变化还是相当大的，其中包括二级缓存直接从128K提升到了1M，前端总线更是跨过了1066MHz，直接从800MHz提升到了1333MHz，据称Nano凌珑在确保功耗没有额外增加的前提下性能是C7的2-4倍，这个消息还是相当令人兴奋的。

命名	Nano凌珑	C7
核心	Isaiah	Esther
制程	65nm	90nm
一级数据缓存	64K	64K
一级指令缓存	64K	64K
二级缓存	1M	128K
前端总线	1333MHz	800MHz
64位技术	支持	不支持
待机功耗	0.1瓦	0.1瓦

　　此次威盛推出的Nano凌珑处理器共有五款，分为两类，一类是低电压版，包括L2100和L2200两款，TDP分别是25瓦和17瓦，另一类是超低电压版，包括U2300、U2400和U2500三款，TDP分别是5瓦、8瓦、6.8瓦，笔者到现在还没有搞清楚的就是为什么命名和功耗会如此不一致。大家可能会看到这里面提到的前端总线是800MHz，而前面提到的前端总线是1333MHz，1333MHz指的是Isaiah架构产品理论上可以达到的最高值，但实际应用中，前端总线还会受到实际产品以及主板的制约，800MHz就是在实际应用中可以达到的数值。

处理器名称	型号	主频	V4 FSB	封装	制程	TDP	空闲功耗	二级缓存
VIA Nano	L2100	1.8GHz	800MHz	NanoBGA2	65nm	25W	0.5W	1M
VIA Nano	L2200	1.6GHz	800MHz	NanoBGA2	65nm	17W	0.1W	1M
VIA Nano	U2300	1.3+GHz	800MHz	NanoBGA2	65nm	8W	0.1W	1M
VIA Nano	U2500	1.2GHz	800MHz	NanoBGA2	65nm	6.8W	0.1W	1M
VIA Nano	U2400	1.0GHz	800MHz	NanoBGA2	65nm	5W	0.1W	1M

　　除了性能的提升和功耗的有效控制，Nano凌珑处理器还是一款绿色处理器，它采用了无卤素系以及无铅的封装技术，符合RoHS和WEEE标准，和威盛以至宣传的绿色计算口号也保持了一致。

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