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2006年度14款DDR2-667内存产品综合评测
2006-12-4 9:09:00 文/ 出处:IT.com.cn(IT世界网)

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  2005年是DDR1黄金时期,DDR2仍未能与之匹敌,而2006年已是DDR2的全面普及年,2007年将会是DDR2的盛世。问世于六年前的DDR1内存随着AMD全面以AM2平台取代Socket939/754而最终逐步消失。DDR3的脚步仍很遥远,在2006年末直至2007年全年乃至更晚,我们都只需要考虑DDR2内存。
  目前最主流的内存规格莫过于DDR2-667,而随着11月30日微软正式发布VISTA操作系统,过去WindowsXP所坚守的512M入门、1GB为推荐配置的内存容量标准将被改写为1GB入门,2GB推荐配置。本文将考察目前市面一些常见的DDR2-667规格内存品牌,为各位进一步了解这个不断提速增容的内存竞技场作出一些采购建议。
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·模组/颗粒表明温度、功耗测试:
  成绩合计分为默认电压以及加电压两部分,默认电压以及加压下内存颗粒因为电压的增加会有一些温度的变化,虽然温度的变化在多数系统上不会从性能上得到反映。尽管运行的时候30度或者60度不会有什么成绩上的变化。

采用探头直接压在颗粒表面的测试方式测试,接触面涂有硅脂导热

  但是如果你了解到DDR3 以及支持DDR3的新芯片组都加入了支持内存温度检测的功能的话,就应该意识到,对于所有的系统来说,更低的发热量将是值得称赞的。在通常的中型机箱内只有1~2条内存的用户来说可能无所谓,但是你采用的是mini的小型准系统,或者Silm类型的超轻薄主机,那么温度也会成为采购内存时需要考虑的因素。而对于超频玩家来说,晶圆中品质优良部分切割出来的内存颗粒才会有较低的发热量,这也意味着,发热较低的颗粒,超频幅度以及可以耐受的电压幅度较发热大的颗粒更高。

  由上图可见,比较异常的是Leadmax超胜的产品,加压之后温度在满载下飙升了接近7度,这意味着颗粒并不适合长期的加压满载运行。内存颗粒内部的引线间的漏电流在高负荷的运行下会加速电子迁移的剧烈程度。出现这样的结果,存在两个可能,一是这个参与测试的颗粒之前已经加过很高的电压测试二是颗粒体质天生如此。

  Kingmax胜创的产品在功耗/温升项目的表现相当抢眼,得益于封装技术或者颗粒的体质,Kingmax胜创送测的这组产品在加压前后的温度几乎没什么变化。但在超频方面,也许是所加的0.20V电压尚未达到开启它潜力的门槛,超频结果只是有一定的提升而已,更高电压的表现不得而知。

·模组、颗粒常规/加压超频表现项目:
  超频方面的性能测试也按电压分为两个部分。默认以及+0.20V的电压上,由于环境温度或者随机因素导致的误差已经尽量排除。所测试出来的成绩虽然有偏差,而测试的产品事实上也存在个体方面的因素影响着测试结果,譬如送测产品所采用的颗粒制造出厂的周期等方面因素是无法在超频表现方面表达的。

  由下表所示的成绩可见,在超频方面的确存在一些异常的成绩。当中尤以Kingxcon为显著。在单独以CPU-Z测试Kingxcon的产品时发现,制造商为南亚科技。这意味着Kingxcon送来参测的产品并不能代表Kingxcon市售产品的真实表现,故此这个特殊成绩并不列入考察范围内。

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